2018EB™

Description

2018EB型電荷感度FET入力プリアンプは、Canberra™受動イオン注入プレーナシリコン（PIPS^®）検出器や従来のシリコン表面障壁型SSB（SSB）検出器などのシリコン検出器で最適な性能を実現するように設計されています。 このプリアンプは、各核反応によって検出器内で生成される電荷キャリアを電圧パルスに変換します。この電圧パルスの振幅は、1pCあたり0.45Vに従って収集電荷に比例します。これは、室温で動作するシリコン検出器では、1MeVあたり20mVのゲインに相当します。

この出力は、正バイアスの検出器でプリアンプを使用した場合、正極性の信号を提供します。出力信号はエネルギーに対して非常に高い線形性を示すため、エネルギースペクトロスコピーに最適なプリアンプとなります。 シリコン検出器で2×10⁶MeV/秒を超えるエネルギーレート容量が、この高チャージレート容量設計を実証しています。このような高計数率能力を最大限に活用するためには、Lynx^®アナライザーなど対応する高計数率能力を有するメインアンプまたはMCAを使用する必要があります。