2003BT™

Description

2003BT型電荷感度FET入力プリアンプは、ミリオンの受動イオン注入プレーナシリコン（PIPS^®）検出器や従来のシリコン表面障壁型（SSB）検出器などのシリコン検出器で最適な性能を発揮するように設計されています。この装置は電荷・電圧変換器として動作し、吸収される核反応ごとに検出器内で発生した電荷キャリアを受け取ります。出力は、1pCあたり0.45Vの割合で、収集された電荷に正比例した電圧を供給します。これは、室温シリコン検出器の場合の1MeVあたり20mVのゲインに相当します。

正バイアスシリコン検出器の一般的な使用で出力されるエネルギーは非常に高い直線性を示すため、エネルギースペクトロスコピーに最適な正極性パルスを提供します。同時タイミング出力は、核反応の経時分解能に最適な負極性の高速分化パルスを提供します。

シリコン検出器で2×10⁶MeV/秒を超えるエネルギーレート容量が、この高チャージレート容量設計を実証しています。このような高計数率能力を最大限に活用するためには、2025型または2026型アンプなど、対応する高計数率能力を有するメインアンプを使用する必要があります。

プリアンプの基本動作は機能回路図に示されています。第1ステージは、フィードバックコンデンサーC_fに蓄積された電荷に比例した出力電位を生成する演算積分器として機能します。この積分器はエネルギー出力を直接提供します。タイミング出力は、パルス整形ネットワークを介した積分器エラー信号から得られます。このような構成を取ることで、表1（スペックシート参照）に示すような低ノイズと立ち上がり時間の高速化が実現できます。パルスの忠実度を保つため、エネルギー出力は93Ωの直列終端抵抗を介してバッファリングされます。

プリアンプのノイズ寄与は、わずか2.0keV（FWHM、Si）で、入力キャパシタンスの増加に伴うノイズ増加率は、1pFあたり±10eVです。必要なすべての電力は、ミリオンのメインアンプから300cmの専用ケーブルを介して供給されます。