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2018EB™

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Préamplificateur pour détecteur au silicium

2018eb 002

Le pré-amplificateur 2018EB convertit les porteurs de charge produits dans le détecteur par chaque événement nucléaire en une impulsion de tension.

Tag Caractéristiques

  • Conception à faible bruit : < 3,0 keV (Si) à 0 pF
  • Capacité taux haute énergie : jusqu’à 2 x 106 MeV par seconde
  • Entrée FET avec protection par diode
  • Petite taille
  • Capable de fonctionner dans une chambre à vide

Description

Le pré-amplificateur 2018EB est un pré-amplificateur d’entrée FET sensible à la charge conçu pour offrir des performances optimales avec des détecteurs au silicium tels que les détecteurs PIPS® (Passivated Implanted Planar Silicon) de Canberra™ et les anciens détecteurs à barrière de surface en silicium (SSB). Le préamplificateur convertit les porteurs de charge produits dans le détecteur par chaque événement nucléaire en une impulsion de tension. L’amplitude de cette impulsion de tension est proportionnelle à la charge collectée à raison de 0,45 V par pC. Cela se traduit par un gain de 20mV par MeV pour les détecteurs au silicium fonctionnant à température ambiante.

La sortie fournit un signal de polarité positive lorsque le pré-amplificateur est utilisé avec un détecteur polarisé positivement. Le signal de sortie est extrêmement linéaire avec l’énergie, ce qui en fait un pré-amplificateur idéal pour la spectrométrie d’énergie. La capacité de débit de charge élevée du pré-amplificateur est mise en évidence par une capacité de débit d’énergie de 2 x 106 MeV par seconde lors d’une utilisation avec des détecteurs au silicium. Afin de profiter pleinement d’une telle capacité de taux de comptage élevé, un amplificateur principal ou analyseur multicanal avec une capacité de taux de comptage élevée correspondante, comme l’analyseur Lynx®, doit être utilisé.

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