Germanium Accessoires pour détecteur
Accessoires pour détecteur de germanium
Accessoires pour détecteur de germanium
SiLi Detector X-ray
Détecteur au lithium silicium pour la spectrométrie des rayons X
Les détecteurs de rayons X silicium lithium sont au cœur des systèmes de spectrométrie à rayons X à semi-conducteurs. Ces détecteurs, qui sont des dispositifs à structure p-i-n formés par compensation de lithium ou à dérive au silicium de type p, sont le résultat de certains des procédés de fabrication les plus soigneusement contrôlés qui existent.
Caractéristiques
- Détecteurs de 2 à 5mm d’épaisseur offrant une meilleure puissance d’arrêt pour les rayons X à haute énergie par rapport aux SDD
- Rapport de sortie vers la pleine énergie de 2 à 3ordres de grandeur plus élevé que les détecteurs HPGe
Description
Les détecteurs de rayons X silicium lithium sont au cœur des systèmes de spectrométrie à rayons X à semi-conducteurs. Ces détecteurs, qui sont des dispositifs à structure p-i-n formés par compensation de lithium ou à dérive au silicium de type p, sont le résultat de certains des procédés de fabrication les plus soigneusement contrôlés qui existent. Ces détecteurs sont fabriqués selon des normes de qualité rigoureuses, ce qui est essentiel pour garantir un produit de haute performance et une excellente fiabilité à long terme.
Le détecteur de rayons X Si(Li) fait partie intégrante d’un système de détection qui comprend un cryostat à azote liquide et un pré-amplificateur de réinitialisation à transistor intégré à faible bruit (I-TRP).
Ces détecteurs ont certainement une place sur le marché pour les applications de rayons X à côté des détecteurs silicium type diode à dérive (SDD), tels que nos unités X-PIPS™, et des détecteurs germanium basse énergie (détecteurs LEGe™ et Ultra-LEGe™). Les détecteurs Si(Li) peuvent être fabriqués avec des épaisseurs allant jusqu’à 5 mm, ce qui signifie qu’ils ont une puissance d’arrêt beaucoup plus élevée que les SDD (max. 500 µm) et peuvent être utilisés pour des rayons X d’énergie plus élevée (voir le graphique ci-dessous). Cependant, par rapport au germanium, le silicium a un pouvoir d’arrêt plus faible pour la même épaisseur de détecteur. Mais le gros avantage du silicium est qu’il présente des rayons X caractéristiques à des énergies beaucoup plus faibles (environ 1,7 keV) par rapport au germanium (10-11 keV). Par conséquent, les rayons X générés sont moins susceptibles de s’échapper du volume du détecteur, ce qui rend le pic d’échappement moins proéminent. Cela signifie que le rapport entre le pic d’énergie totale et le pic d’échappement est de 2 à 3 ordres de grandeur plus élevé pour un détecteur Si(Li) par rapport à un détecteur HPGe. De plus, les rayons X au germanium se situent autour de 10-11 keV, ce qui est juste dans la zone d’intérêt pour certaines expériences ou applications. Les limites d’absorption du germanium dans la zone d’intérêt compliquent le spectre et l’analyse.
Applications
- XRF, XRD
- Applications des synchrotrons (EXAFS, XANES, …)
- Spectrométrie par rayons X (par exemple EDS)
- PIXE
- Spectrométrie Mossbauer
Ressources associées
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