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Photo-diodes

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für Synchrotron-Anwendungen

Electron beam detector 005
Electron beam detector 003
Electron beam detector 006

Einzel- oder Mehrfachverbingung auf Keramikplatinen-Elektronenstrahldetektor-SI-Fotodioden.

Tag Merkmale

  • Einzelne- oder Mehrfachverbindung auf Keramikplatine
  • Schmales Verbindungs-Eingangsfenster: < 50 nm
  • Niedriger Dunkelstrom, typischerweise unter 1 nA /cm2
  • Aktiver Bereich: 50 bis 550 mm2, verschiedene Formen und Designes sind möglich
  • Durchmesser des mittigen Lochs: Standard 4 mm, Muffe: 16x3 mm
  • Kein optisches Fenster

Description

Vorteile

  • Schnelles Auslesen (von ns bis ps (FWHM))
  • Wird im Fotovoltaik- oder vorgespannten Modus verwendet


Anwendungen

  • Hochempfindlicher und direkter Nachweis von Niedrigenergie-Elektronenstrahlen (>1 keV)
  • Rückgestreute Elektronen für Rasterelektronenmikroskop (SEM)
  • Fotodioden für Synchrotron-Anwendungen
  • Elektronenmikrosonden-Analyse für zerstörungsfreie chemische Analysen

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